當(dāng)下科技發(fā)展迅速，對(duì)于電子元器件行業(yè)中各零部件的要求越來(lái)越高。NOR flash作為目前當(dāng)下市場(chǎng)中主流的儲(chǔ)存技術(shù)之一，它的實(shí)際應(yīng)用也很大程度上推動(dòng)了例如互聯(lián)網(wǎng)以及汽車等行業(yè)的高速發(fā)展。NOR flash則應(yīng)用的是非易失閃存技術(shù)之一，首次開(kāi)發(fā)在1988年。為了讓大家能夠更容易了解NOR Flash，以下為看客們說(shuō)道說(shuō)道一番。

與之前的其它存儲(chǔ)件相比較，NOR flash屬于應(yīng)用程序芯片內(nèi)執(zhí)行。減少將代碼通過(guò)RAM的方式進(jìn)行運(yùn)行步驟，從電子器件運(yùn)行上降低了運(yùn)行損耗。并且NOR flash看起來(lái)雖然很小，但是它本身卻具有很高的傳輸效率。從成本出發(fā)的話當(dāng)NOR flash的容量在1-4兆時(shí)整體的一個(gè)運(yùn)行成本效益獲得很高，但是對(duì)應(yīng)的會(huì)失去其本身所具有的性能，因?yàn)樵谠擉w量下NOR Flash的寫(xiě)入以及擦除的速度相對(duì)較低，無(wú)法與其本身具有的性能很好匹配一起。

在性能方面，除NOR flash以外，其實(shí)任何的flash器件都會(huì)在進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí)，針對(duì)空白或者已經(jīng)擦除的單元進(jìn)行寫(xiě)入，如無(wú)空單元基本都是會(huì)先擦除再寫(xiě)入的步驟。相對(duì)于同類器件NAND的直接擦除模式，NOR Flash在擦除過(guò)程中，都有一步將目標(biāo)所有單元?dú)w0，再進(jìn)行擦除寫(xiě)入等步驟。當(dāng)然，NAND雖然比較便捷，但是在應(yīng)用是Flash的管理上必須要特殊的接口才可以正常使用。

如果單純性能來(lái)講的話，NAND的確有很大的優(yōu)勢(shì)。不管是制造，成本還是寫(xiě)入效率。但是由于其在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候?qū)τ谠O(shè)備有要求，并且相對(duì)NOR flash容量較小，所以在很多時(shí)候NOR Flash應(yīng)用率更高。當(dāng)然需求商們應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際需求來(lái)選擇所需的電子元器件，保障最終成品能夠投入市場(chǎng)，帶來(lái)效益。